MOS-Feldeffekttransistor (MOS-FET)

Die Bezeichnung MOS steht für Metal-Oxide-Semiconductor, was die Bedeutung Metall-Oxid-Halbleiterbauteil hat. Der MOS-FET ist auch als IG-FET bekannt. Diese Bezeichnung resultiert von Insulated Gate und steht für isoliertes Gate. Dieses hängt mit dem Aufbau des MOS-FET zusammen.

Die Grundstruktur eines MOS-FET (n-Kanal-Anreicherungstyp) ist auf dem Bild zu erkennen. Dieser Feldeffekttransistor besteht aus einem p-leitenden Kristall, dem Substrat. Zwei n-leitende Inseln sind in das Substrat eindotiert. Der Kristall ist mit Siliziumdioxid (SiO2) abgedeckt (Isolierschicht). Die n-leitenden Inseln sind aber noch freigelegt und über Kontakte nach außen geführt (S und D). Als Gate-Elektrode ist eine Aluminiumschicht (AI) auf dem Siliziumoxid aufgedampft.

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